1.采用双层腔体结构，反应腔安装在真空腔体内，并各自配备密封盖。
2.真空腔体内置加热器一套，配备相应的隔热板，加热器最高加热温度：650℃，控制精度±1℃。
3.真空腔体无水冷系统且外温低于60℃，并配备腔体过热保护装置。
4.真空腔体所有接口采用法兰和密封圈密封，腔体漏率低于2E-8mbar.l/s。
5.反应腔最大可沉积200mm基片1个，兼容小基片。
6.反应腔上配备6个独立的前躯体源管路接口，与前躯体源管路连接，前驱体蒸汽相对衬底流动模式为喷洒淋浴模式。
7.反应腔最高沉积温度：450℃，控制精度±1℃；配备650℃基片加热盘，等离子工艺最高沉积温度500℃，热工艺最高沉积温度600℃。
8.基片加载采用气动基片加载/卸载系统，由系统自动控制。
9.配备颗粒捕捉器及反应残余物燃烧器。
10.前躯体输运系统：配备6路独立的前躯体源管路，分别连接到反应腔的6个独立入口上。
11.每条管路单独配置的质量流量计、压力传感器、脉冲阀，所有连接管路为316L不锈钢制成，所有管路接头采用金属密封方式密封。
12. 配置扩散增强器，用于在高深宽比结构上沉积薄膜，最高可实现200:1深宽比结构上沉积。
13.配备前躯体源数量分别为：3个常温液态源、1个200℃加热源、2个300℃加热源、2个气体源和4路等离子气源。
14.常温液态源包括液态源瓶、管道与脉冲阀门，源瓶为316不锈钢材质，容积不198cm3，配置手动隔离阀。
15.每个液态源单独配备半导体制冷温度控制器1套。
16.加热源1具有鼓泡功能，配备温控管路、高温脉冲阀门与热绝缘器。
17.加热源1的源瓶为316不锈钢材质，容积50cm3。
18.加热源1最高加热温度200℃，控制精度±1℃。
19.加热源2具有鼓泡功能，配备温控管路、高温脉冲阀门与热绝缘器。
20.加热源2的源瓶为316不锈钢材质，容积570cm3。
21.加热源2最高加热温度300℃，控制精度±1℃。
22.气体源用于气体脉冲源，包含分别用于测量NH3/O2气体的质量流量计、管路、计算机控制的气动三通脉冲阀。
23.配备远程等离子模块，包括匹配网络、等离子体发生器、包括4路等离子气路。
24.每条管路单独配置的质量流量计、压力传感器、脉冲阀。
25.等离子ALD和热ALD共用一个腔，等离子体发生器与基底必须保持足够距离（50cm）以减少离子轰击对基片造成的破坏效应；功率：100？3000W可调、频率：RF 1.7 -3 MHz。
26.真空系统配备耐腐蚀真空干泵；真空泵抽速420m3/h。
27.预真空系统包括1个预真空腔及其配备单独的干泵，可以传送8英寸及向下兼容基片, 6英寸及以下基片采用托盘方式，自动控制抽真空，充气，安装单独的压力传感器，手臂位置探测传感器。
28.控制系统界面屏用于ALD反应器的操作；系统可用于工艺模式或手动模式。
29.控制系统具备工艺储存、读取功能，能够输出实验数据，显示24个小时内设备系统各部分参数的时间趋势图，包括各部分质量流量、温度、压强的时间趋势图，用于监测设备稳定性。沉积过程中监测显示每个源管路的脉冲压强，显示脉冲压强与时间关系图，用于监测脉冲稳定性。
30.配备紧急制动开关
31.沉积的Al2O3薄膜：厚度均匀性：热法<1.5%，等离子体法<2%(500循环, 8英寸Si片, Stdev/Average x100%，49点测量，排除边沿10 mm)。