激光直写光刻机
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收费标准
机时1500元/小时 -
设备型号
DWL66+ -
当前状态
-
管理员
容炎森,杨彪 18218426360 13794360417 -
放置地点
坪山校区（校本部）B2栋1层B108
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
激光直写光刻机
资产编号
S2507366
型号
DWL66+
规格
分辨率0.3um、0.6um、1um
产地
德国
厂家
Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH
所属品牌
出产日期
购买日期
2024-05-13
所属单位
半导体微纳加工中心
使用性质
科研
所属分类
光刻
资产负责人
容炎森
联系电话
18218426360,13794360417
联系邮箱
放置地点
坪山校区（校本部）B2栋1层B108
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
1.样品尺寸：晶圆8英寸，可向下兼容；
2.光刻分辨率：0.3μm、0.6μm、1μm；
3.最高分辨率下直写速度：3 mm2/min，
4.最快直写速度：150 mm2/min；
5.套刻精度：正面±0.5μm、背面±1μm；
6.半导体激光器波长：405nm；
7.激光能量：300mW；
8.灰度光刻：255阶；
9.数据软件具备图形修正功能；
10.配备气体测量自动聚焦系统、光学测量自动聚焦系统。
2.光刻分辨率：0.3μm、0.6μm、1μm；
3.最高分辨率下直写速度：3 mm2/min，
4.最快直写速度：150 mm2/min；
5.套刻精度：正面±0.5μm、背面±1μm；
6.半导体激光器波长：405nm；
7.激光能量：300mW；
8.灰度光刻：255阶；
9.数据软件具备图形修正功能；
10.配备气体测量自动聚焦系统、光学测量自动聚焦系统。
主要功能及特色
1. 不需要物理掩膜，实现无掩膜光刻图形的转移、套刻，最高分辨率能够达到300nm。
2. 用于掩膜版图形的转移，中心同时具备铬的湿刻蚀能力，可实现掩膜版的制备。
3. 具备255级灰阶，可实现灰度曝光，用于Fresnel lens、MLA、DOE、等光学元件，以及三维光刻图形的制备。
2. 用于掩膜版图形的转移，中心同时具备铬的湿刻蚀能力，可实现掩膜版的制备。
3. 具备255级灰阶，可实现灰度曝光，用于Fresnel lens、MLA、DOE、等光学元件，以及三维光刻图形的制备。
样本检测注意事项
样品厚度不超过12mm。
设备使用相关说明
AZ1500：120元/10ml
AZ4562：150元/10ml
AZ4562：150元/10ml
预约资源
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