半自动接触对准光刻机
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收费标准
机时1000元/小时 -
设备型号
MA/BA8 Gen4 -
当前状态
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管理员
容炎森,冀晓博 18218426360 18666803994 -
放置地点
坪山校区（校本部）B2栋1层B108
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
半自动接触对准光刻机
资产编号
S2406981
型号
MA/BA8 Gen4
规格
晶圆尺寸：8英寸，并且向下兼容各类不同尺寸及不规则小片；分辨率：≤1.0um（i线，光刻胶厚度1um，真空接触，等间距图形）；
产地
德国
厂家
SUSS MicroTec Solutions GmbH & Co. KG
所属品牌
出产日期
购买日期
2023-11-09
所属单位
半导体微纳加工中心
使用性质
科研
所属分类
光刻
资产负责人
容炎森
联系电话
18218426360,18666803994
联系邮箱
放置地点
坪山校区（校本部）B2栋1层B108
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
1.样品尺寸：8inch及以下晶圆，包括碎片；
2.分辨率：≤1μm；
3.套刻精度：正面≤±0.5μm，背面≤±1μm；
4.曝光光源：365/405/436nm LED光源；
5.光强：≥35mW/cm2 @365nm，光强均匀性：≤±2.5%；
6.对准台行程范围：X≥±5mm，Y≥±5mm，θ≥±5°，Z≥7mm；
7.对准台移动分辨率：X-Y方向≤0.02μm；θ方向≤1×10-5 °。
2.分辨率：≤1μm；
3.套刻精度：正面≤±0.5μm，背面≤±1μm；
4.曝光光源：365/405/436nm LED光源；
5.光强：≥35mW/cm2 @365nm，光强均匀性：≤±2.5%；
6.对准台行程范围：X≥±5mm，Y≥±5mm，θ≥±5°，Z≥7mm；
7.对准台移动分辨率：X-Y方向≤0.02μm；θ方向≤1×10-5 °。
主要功能及特色
可供正胶、负胶、厚胶、双层胶、反转胶等多种类型曝光，使用i-line, h-line, g-line波长，适用于8英寸以及以下尺寸的样品。如有特殊工艺，用户需与甲方和乙方共同确定设备是否能够完成。
设备使用相关说明
AZ 5214E：120元/10mL
AZ P4620：120元/10ml
AZ MIR701：150元/10ml
AZ P4620：120元/10ml
AZ MIR701：150元/10ml
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