深硅刻蚀机
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收费标准
机时1400元/小时 -
设备型号
PlasmaPro 100 Estrelas -
当前状态
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管理员
吴国才,时建成 18898585631 13667027932 -
放置地点
坪山校区（校本部）B2栋1层B108
- 仪器信息
- 附件下载
- 公告
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名称
深硅刻蚀机
资产编号
S2508790
型号
PlasmaPro 100 Estrelas
规格
RF射频源300W/ICP射频源5000，8/6/4英寸，OES终点检测W
产地
英国
厂家
Oxford instruments plasma technology
所属品牌
出产日期
购买日期
2024-04-25
所属单位
半导体微纳加工中心
使用性质
科研
所属分类
刻蚀
资产负责人
时建成
联系电话
18898585631,13667027932
联系邮箱
放置地点
坪山校区（校本部）B2栋1层B108
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
主要规格&技术指标
1.样品尺寸：4/6/8inch兼容，小片及不规则片可通过载盘处理；
2.均匀性：<5%；
3.样品台温度控制范围：-110~40℃；
4.ICP射频源：2MHz，功率≤5000W，RF射频源13.56MHz，功率≤300W；
4.配工艺气体Ar/O2/C4F8/SF6/SiF4；
5.配OES终点检测系统；
6.Si深刻蚀技术路线：Bosch工艺、低温直刻工艺、SOI抗缺口蚀刻工艺。
2.均匀性：<5%；
3.样品台温度控制范围：-110~40℃；
4.ICP射频源：2MHz，功率≤5000W，RF射频源13.56MHz，功率≤300W；
4.配工艺气体Ar/O2/C4F8/SF6/SiF4；
5.配OES终点检测系统；
6.Si深刻蚀技术路线：Bosch工艺、低温直刻工艺、SOI抗缺口蚀刻工艺。
主要功能及特色
用于深硅刻蚀
设备使用相关说明
自主上机机时费：
校外用户，1400元/小时
校内用户，700元/小时
校外用户，1400元/小时
校内用户，700元/小时
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