椭偏仪

  • 19/人
    使用者
  • 83/次
    总次数
  • 132/小时
    总时长
  • 1/人
    收藏者

收费标准

机时
100元/小时

设备型号

UVISEL Plus

当前状态

管理员

宋宗鹏

放置地点

坪山校区(校本部)B4栋1层101
  • 仪器信息
  • 预约资源
  • 附件下载
  • 公告
  • 同类仪器

名称

椭偏仪

资产编号

S2214517

型号

UVISEL Plus

规格

产地

法国

厂家

HORIBA FRANCE SAS

所属品牌

HORIBA

出产日期

购买日期

2022-11-29

所属单位

分析测试中心

使用性质

科研

所属分类

资产负责人

宋宗鹏

联系电话

联系邮箱

放置地点

坪山校区(校本部)B4栋1层101
  • 主要规格&技术指标
  • 主要功能及特色
  • 设备使用相关说明
  • 备注
主要规格&技术指标
1.1 测量范围:Psi= 0°~90°,Delta= 0°~360°,无死区。 1.2 Psi和Delta精确度测量:直射测量空气,测量精度≤0.02°(Psi = 45°);测量精度≤0.02°(Delta =0°)。 1.3 测量重复性:测量单晶硅上生长单层SiO2(厚度80-100nm)样品, 30次连续测量厚度标准偏差≤0.4?,30次连续测量折射率标准偏差(633nm)≤0.0003。 1.4 软件配置色散公式≥31个,材料模型≥300个。 1.5 测量时间:全光谱≤3分钟。 1.6对透明基底具有自动收集背反射,背反射抑制处理能力。 1.7 光谱范围覆盖:190nm–2100nm,有效覆盖深紫外波段、可见至近红外波段。 1.8光源: 氙灯,功率75W ,配有电源和用于监测灯寿命的计时器。 1.9具有斩波器,用于调制和背景扣除,具有消色差反射镜系统可以将激发光聚焦到样品上。 1.10调制方式:非机械调制方式,无机械旋转,保证高稳定性,调制频率50KHz。 1.11要求采用双级相加光谱仪,2次分光能更好的抑制杂散光,提高测量精确度。 1.12高杂散光抑制比,紫外<0.5% @190nm。 1.13光谱分辨率<0.15nm。 1.14配有光电倍增管PMT探测器,保证深紫外区和微光斑测量时的高灵敏度。 1.15提供永久授权的全套软件包,包括:测量,校准和分析。能够准确测量单层膜,多层膜,超薄膜的厚度,折射率n和消光系数k。 2.1入射角:55°到90°可调,步进5°。 2.2角度精确度:≤0.01°。 3.1自动XY样品台: 移动范围200mm *200mm。 4.1消色差微光斑,光斑尺寸(90度入射)包含:50um,100um,1mm。 4.2配置摄像头,用于观测微光斑和样品表面。 5.1配置高分辨率近红外单色仪。 5.2配置InGaAs探测器:光谱响应范围830-2100nm。 6.1变温台变温范围:-196°C ~ +350°C。
主要功能及特色
椭偏仪是研究膜系样品不可或缺的测试设备,主要用于测量各类薄膜的膜厚、折射率和消光系数(n,k),对单层膜、多层膜等材料具有光学性能的分析能力,测量膜厚范围可从单原子层至微米量级。该设备在第三代半导体,有机聚合物,微纳器件等前沿研究领域具有广泛的应用。
设备使用相关说明
校内用户:100元/小时
校外用户:200元/小时
备注
请和管理员老师确认预约时间。另额外需要一片空白干净基底,方便建模处理数据。
预约资源
附件下载
公告
同类仪器