FIB聚焦离子束系统
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8/人使用者
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17/次总次数
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226/小时总时长
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1/人收藏者
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收费标准
机时600元/小时 -
设备型号
Helios 5 CX -
当前状态
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管理员
闫志刚 0755-23256168 -
放置地点
坪山校区（校本部）B4栋1层G108
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
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名称
FIB聚焦离子束系统
资产编号
S2005148
型号
Helios 5 CX
规格
产地
厂家
Thermoscientific
所属品牌
出产日期
购买日期
2020-05-18
所属单位
分析测试中心
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
闫志刚
联系电话
0755-23256168
联系邮箱
放置地点
坪山校区（校本部）B4栋1层G108
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 设备使用相关说明
- 备注
主要规格&技术指标
性能指标：
离子束系统：
离子源种类：液态Ga离子源；
交叉点分辨率：≤ 4.0nm@30kV (采用Multi-edge平均值法测量)，≤ 2.5nm@30kV (采用selective edge最佳值法测量)；
加速电压：最低加速电压500V，最高加速电压为30kV；
束流强度最大可达65nA；束流密度最大值可达60A/cm2；
拥有独立的分离式气体注入系统，可重新配置；
具备可直接导入Bitmap/CAD文件，按照预先设定的间距，进行离子束沉积，加工复杂图形的能力；
软件具备切片的三维重构能力；
电子束技术要求：
电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝；
分辨率：在最佳工作距离：≤ 0.9nm@15kV；≤ 1.4nm@1kV；
加速电压：加速电压200V~30kV；束流强度：最大束流22nA；
可用探头：二次电子探测器、高分辨背散射电子探测器；
离子束系统：
离子源种类：液态Ga离子源；
交叉点分辨率：≤ 4.0nm@30kV (采用Multi-edge平均值法测量)，≤ 2.5nm@30kV (采用selective edge最佳值法测量)；
加速电压：最低加速电压500V，最高加速电压为30kV；
束流强度最大可达65nA；束流密度最大值可达60A/cm2；
拥有独立的分离式气体注入系统，可重新配置；
具备可直接导入Bitmap/CAD文件，按照预先设定的间距，进行离子束沉积，加工复杂图形的能力；
软件具备切片的三维重构能力；
电子束技术要求：
电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝；
分辨率：在最佳工作距离：≤ 0.9nm@15kV；≤ 1.4nm@1kV；
加速电压：加速电压200V~30kV；束流强度：最大束流22nA；
可用探头：二次电子探测器、高分辨背散射电子探测器；
主要功能及特色
主要功能：
TEM透射电镜样品制备：特别是对于表面薄膜、涂层TEM样品
焊接界面TEM样品
晶界界面以及相界面等TEM样品的制备具有强大优势
制得的TEM样品可以直接用TEM透射电子显微镜观察，无需其它处理，特别适合TEM高分辨分析
SEM扫描电子显微镜结构分析：可以进行二次电子形貌分析且图像分辨率极高、背散射电子衬度分析分析速度快，标定准确度高
微纳结构加工：在微纳结构操作机械手、离子束切割等的配合下，可以进行各种微纳材料的搬运、各种微纳结构形状或图案的加工
TEM透射电镜样品制备：特别是对于表面薄膜、涂层TEM样品
焊接界面TEM样品
晶界界面以及相界面等TEM样品的制备具有强大优势
制得的TEM样品可以直接用TEM透射电子显微镜观察，无需其它处理，特别适合TEM高分辨分析
SEM扫描电子显微镜结构分析：可以进行二次电子形貌分析且图像分辨率极高、背散射电子衬度分析分析速度快，标定准确度高
微纳结构加工：在微纳结构操作机械手、离子束切割等的配合下，可以进行各种微纳材料的搬运、各种微纳结构形状或图案的加工
设备使用相关说明
计费：校外1200元/小时；校内600元/小时
原则上样品自制， 如需制样， 需加收：Cu载网 50元/个
原则上样品自制， 如需制样， 需加收：Cu载网 50元/个
备注
00230
预约资源
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